Uimhir Táirge Déantóra:
TSM80N1R2CI C0G
Product Overview
Déantóir:
Taiwan Semiconductor Corporation
Uimhir Páirte:
TSM80N1R2CI C0G-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Stoc:
12897909
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TSM80N1R2CI C0G Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Taiwan Semiconductor
Pacáistiú
-
Sraith
-
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
800 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
5.5A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
685 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
25W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
ITO-220AB
Pacáiste / Cás
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Bunuimhir Táirge
TSM80
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TSM80N1R2CI C0G-DG
TSM80N1R2CIC0G
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
TSM80N1R2CI
DEIRMHEACH
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTAR DISPONIBLE
0
DiGi PART NUMBER
TSM80N1R2CI-DG
PRAGHAS AONAD
2.88
TÍP AIONTUITHE
Parametric Equivalent
Teastas DIGI
Related Products
TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
TSM150NB04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
TSM7ND60CI
MOSFET N-CH 600V 7A ITO220
